OMRON presenta i nuovi relè SiC-MOSFET per applicazioni di potenza ad alta tensione e di test

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I nuovi dispositivi G3VH da 1.800V e 3.300V favoriscono un’elettrificazione efficiente e leggera

Hoofddorp, Paesi Bassi, 1 luglio 2026 – OMRON Electronic Components Europe ha presentato i nuovi relè SiC-MOSFET G3VH con tensioni di carico di 3.300V e 1.800V, che offrono i vantaggi della commutazione di potenza solid-state con tensioni di bus e di batteria fino a 1.000V e oltre.

Grazie ai loro valori nominali elevati, questi relè garantiscono una commutazione robusta e affidabile, consentendo ai progettisti di sistemi di adottare tensioni più elevate per massimizzare l’efficienza energetica e utilizzare cavi e collegamenti più piccoli e leggeri. Pur essendo in grado di funzionare al di sopra dei limiti massimi di tensione previsti per i normali relè al silicio, i nuovi dispositivi G3VH garantiscono una maggiore durata e hanno dimensioni fisicamente più ridotte rispetto ai relè reed convenzionali. Sono tipicamente utilizzati negli inverter, nei drive industriali e nell’automazione, nei generatori di energia solare ed eolica, nei sistemi di energy-storage per il rilevamento del guasto a terra (ESS) e nelle apparecchiature di test automatizzate (ATE) per semiconduttori di potenza ad alta tensione e a banda larga.

Dotati di MOSFET in carburo di silicio (SiC) back-to-back con gate driver isolati otticamente, questi relè gestiscono facilmente tensioni di funzionamento elevate all’interno di un compatto contenitore DIP-6 (Dual Inline Package a 6 pin). Grazie alle capacità interne intrinsecamente basse che garantiscono una commutazione pulita ed efficiente anche a velocità elevate, i relè hanno un tempo di accensione di 1ms o 2ms e possono spegnersi in 0,2ms.

Con queste prestazioni, i dispositivi della serie G3VH consentono una risposta rapida ai comandi di sicurezza del sistema, oltre a garantire tempi (di ciclo) di test più brevi nelle applicazioni ATE. L’elevata tolleranza intrinseca del SiC al dV/dt assicura una commutazione stabile anche in condizioni difficili. Inoltre i MOSFET resistono alle alte temperature di esercizio e alle sollecitazioni termiche, garantendo una lunga durata in tutti gli ambienti.

I nuovi dispositivi comprendono due serie: la G3VH-331, progettata per 3.300V, corrente di carico continua di 300mA e corrente di impulso (Iop) di 900mA, con una resistenza totale di 3,5Ω tra i terminali. La serie G3VH-181 da 1.800V è in grado di gestire una corrente continua fino a 30mA e una corrente di impulso fino a 80mA, con una resistenza di 120Ω.

Tutti i nuovi dispositivi G3VH sono di tipo 1a (SPST, normalmente aperto) e sono ora in produzione, disponibili in diverse configurazioni di package, sia a montaggio superficiale (SMD) che con terminali passanti (through-hole).

Per ulteriori informazioni: https://components.omron.com/eu-en/products/relays/G3VH

Web: https://components.omron.com/eu-en

LinkedIn page: https://www.linkedin.com/company/omron-electronic-components-europe-b-v-/

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